【（X刀、γ刀）医用直线加速器LA技师-42】第92页:历年真题_押题密卷_考前押题_考试时间_报名报考条件

与其他的剂量测量方法相比，半导体剂量计具有的优点有A．高灵敏度、高抗辐射能力、温度影响小、灵敏体积小待掩二伙劣金校B．高灵敏度、能量响应范围宽、灵敏体积大堵故抹稠C．高灵敏度、高抗辐射能力、高能量响应范围、温度影响小辉甲弊这棒楚回刘D．高灵敏度、能量响应范围宽、温度影响小挡凳雪E．高灵敏度、能量响应范围宽、灵敏体积小挖逝炸乒接党

使用石墨材料制作指型电离室是因为A．该材料易于加工宣艘铁柱燥锣须B．该材料不易损坏画扶储稀坟玩膏粉铺C．该材料价格便宜谎秒空D．该材料对测量结果影响小并板兔E．该材料颜色适合固古渔

使用指型电离室剂量仪测量吸收剂量时，应主要注意的问题有A．电离室的方向性、杆效应及温度气压的影响虽钞拢觉B．电离室的工作电压、杆效应及温度气压的影响服普烦剥C．电离室的工作电压、方向性、温度气压的影响究殊妹D．电离室的工作电压、方向性、杆效应及温度气压的影响券灰茧编岔因泳签E．电离室的工作电压、方向性、一致性及温度气压的影响引换奥窑灾垂茧足杀

吸收剂量测量通常使用的方法有A．空气剂量计、半导体剂量计、胶片剂量计、荧光板慌幸桂夏B．热释光剂量仪、半导体剂量计、胶片剂量计、光电倍增管趟捷键办刺毁锹C．电离室型剂量仪、半导体剂量计、热释光剂量仪、胶片剂量计锯堵纱惧紫D．非晶硅探测器、电离室型剂量仪、半导体剂量计、胶片剂量计崖搭条E．荧光板、半导体剂量计、胶片剂量计、热释光剂量仪汉趁凉峡维捎遍

当满足电子平衡条件时，吸收剂量和比释动能什么情况下数值上相等A．加上俄歇电子的能量时半熊堆塔倒B．加上韧致辐射损失的能量时毯丛围摆缴宙枝C．忽略韧致辐射损失的能量时皇肥D．忽略俄歇电子的能量时摸它E．加上俄歇电子和韧致辐射损失的能量时膊屈骆腹

在电子平衡条件下，如果空气中照射量X为228.2伦琴[1R=2.58×10-4c/kg]，则其比释动能K为

当满足电子平衡条件时，如果空气中照射量X为205.48伦琴，则相应的吸收剂量为A．100cGy痛垒前兰守纠翻B．150cGy苹岸辟乳只台C．180cGy兔晴宝碧扶溉层D．200cGy隙榜责怠挑E．250cGy当加炸晒抽偏贸

电离辐射入射到介质内时，会产生所谓的"建成效应"，它是指A．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最小敬回酸B．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最大克倚糟疲突土壤璃颈C．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少，直到吸收剂量达到最小城墙泡D．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最小庄虹耀展熊智冻箭E．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最大破牲表丹摇堆

电子平衡是指A．介质中某小区域的电子数目达到某种重量平衡拆旷税召沉纠厂仗B．介质中某小区域的电子逃不出该处从而使电子数目在一段时间内固定不变柔据C．介质中某小区域入射的电子数目与逃出该处的电子数目相同昨器亭明食致D．介质中某小区域次级电子带走的入射光子贡献的能量与入射该区的次级电子带来的能量相等聚蹈远介疾妈贸没E．介质中电子数量达到某一数值，与另外一处数目相同解析、电子平衡是指某一小区域内由于电子活动，造成该区域内能量方面的平衡，是一种电子动态平衡。斯名保爹永辈水墨茎

照射量X的国际单位制是A．库仑[C]槽裁B．伦琴[R]石槽C．戈瑞[Gy]猾锐赠剪陆质骑牢尖D．C·kg-1蚁躺往妄么E．拉德[rad]铃盯品奶倾有息

空气中某点的照射量定义是A．光子释放的次级电子被完全阻止时，产生的离子电荷量与单位质量空气的比值冬影随每波逐B．光子释放的次级电子被完全阻止时，产生的离子总电荷量与单位质量空气的比值汗肠煌减厕叠诗则流C．光子释放的次级电子被完全阻止时，产生的同一种符号的离子总电荷量与单位质量空气的比值屋福倘捎找冒国导D．光子释放的所有次级电子被完全阻止时，产生的同一种符号的离子总电荷量与单位质量空气的比值做灰即显乱申平嗓E．光子释放的所有次级电子被完全阻止时，产生的同一种符号的离子总电荷量的绝对值与单位质量空气的比值术浮火带

比释动能定义是A．电离粒子在介质中释放的初始动能之积性销紧B．电离粒子在介质中释放的带电粒子与不带电粒子的初始动能之差路仔萍川州灯货C．电离粒子在介质中释放的带电粒子与不带电粒子的初始动能之商匠姓鼠陪惯坐细屿找D．不带电电离粒子在介质中释放的全部带电粒子初始动能之和送眼纺解E．电离粒子在介质中释放的初始动能之和列亚贸细杨浅发

戈瑞[Gy]的国际单位为A．rad洋悦增鬼储聪渠B．C·kg-1诉谜妄疾列崇C．J·kg-1烟置拨泛妨括羞间D．J·kg制益E．Sv纱淋屑

用授予某一体积元内物质的辐射能量除以该体积内的物质的质量，得到的是A．吸收剂量停题萌拍B．照射量许文吼锯丽厉检胃坦C．照射率句乏恳棒兼池洁D．吸收剂量率千尊女辞纸格愚读新E．比释动能酿纵城忧喊申

吸收剂量是指A．电离辐射在靶区释放的全部动能卖尘给帐第派摔数B．电离辐射在靶区损失的能量之碑搅汗澡较村践C．电离辐射在空气中释放的全部动能浙贯胳走D．电离辐射在水中释放的全部能量皇丹E．电离辐射给予单位质量物质的平均授予能鸡太皇鸣症

居里[Ci]与贝克勒尔[Bq]之间的换算关系是1居里等于A．3.7×108贝克勒尔猫俯亚察石傍罢B．3.7×1012贝克勒尔尊葡赵上看液卷妇C．3.7×109贝克勒尔帽梳反丰成D．3.7×1010贝克勒尔脂唱灭抖E．3.7×106贝克勒尔态普响

放射性活度的国际单位制是A．伦琴删虑脾袭扰B．居里姐搏耐搏畏时C．毫克镭当量冻免D．贝克勒尔青迈贤骡仓宰E．希伏特记形慌界章惕

电子线的射程一般采用质量厚度为单位，其最大射程与其最大能量之间的关系一般为A．1MeV/cm秒辛娘B．2MeV/cm造洪聋榆存软傍常纺C．3MeV/cm旨悄铺不D．4MeV/cm捐概构董正掠条E．5MeV/cm若箩廊

如果测得某能量的高能电子束PDD曲线，则电子束的模体表面平均能量是A．2.33RsMeV描灭没狠拉B．2.33R50MeV纱愁昼述C．2.33R80MeV熔喜自竞赖抗景D．2.059RsMeV天武宵妻腥角E．2.059R50MeV澡冶

下列关于电子线的射程的说法正确的是A．电子线的射程比α粒子小柿傅个姿乙随是敞B．电子线的射程与α粒子相同漂晚柏C．电子线的射程大于其实际路径钟缸幅遮牌挡献抢D．电子线的射程与其最大能量没有关系割毙经夕兵僵看E．电子线的最大射程与其最大能量有一定关系朽故室汗箩故疲

对高能的X射线，通常采用辐射质指数来描述射线质，用水模体内不同深度的值来表示定义为A．TAR20/TAR10或PDD10/PDD20观陷B．TPR20/TPR10或PDD10/PDD20袖特羡堆欧克C．TPR10/TPR20或PDD20/PDD10油陵省型酿扭榴牢D．TPR20/TPR10或PDD20/PDD10说删菠窝E．TPR20/TMR10或PDD10/PDD20购谨末调折

用穿透能力来表示中低能X射线时，通常采用A．管电压桑迎番穷业B．半价层[HVL]禾舰牛么诚巴C．半价层[HVL]和管电压食尼破炕许驱凤专麻D．空气中的照射剂量森扬E．5cm水深处的吸收剂量抵玉响足孙

铅对60钴的γ射线的半价层是1.25cm，因此其线性吸收系数约为A．O.125/cm迫栋耽竹B．O.346/cm坚参飘C．O.554/cm柜西版D．O.692/cm睬姑E．O.885/cm场卷岩些嫌挖弟胜

铅对60钴的γ射线的半价层是1.25cm，若挡铅的厚度是5cm，则挡铅后面的剂量是挡铅前的A．6.25﹪膏够赚捡应箩诉扭消B．12.5﹪场重弟裂匀C．25﹪胀节挣D．50﹪芳钞杜数第鹅辟E．80﹪弄访昏兽伸孙

质量吸收系数表示γ光子与单位质量厚度的物质发生相互作用的概率，下列叙述正确的是A．质量吸收系数与吸收物质密度成正比晒生B．质量吸收系数与吸收物质密度成反比乞宰C．质量吸收系数与吸收物质的温度成正比照收传D．质量吸收系数与吸收物质的温度成反比饶即谨皮练答而劳E．质量吸收系数与吸收物质密度及物理状态无关园与鲜摩

指数吸收定律中，其线性吸收系数是A．光电吸收系数嫌顽宪唐丑雕B．康普顿吸收系数宫杂岔瞧投刺C．电子对吸收系数互散妈D．上述三种吸收系数之和阅壤绒精厨浅街E．上述三种吸收系数之差尖哭将半

单能窄束γ射线垂直通过吸收物质时，其强度按照哪种规律衰减A．平方反比规律筝厉夏启清唤B．指数规律舱本晋沃愈赠C．算术级数尊仁毒炼运琴户脱劫D．几何级数读仅冶双宝幅咳缎巧E．高斯级数屋尼育渴倚林轮堂

临床照射一个位于骨组织后的转组织病灶应该选择A．20kV低能X线瑞丙土照苦坊龟B．30kV低能X线侵衰瞧悄恰亏乏睡C．60钴γ线或高能X线快臂谨建炼恳阿六D．高能电子线考旺歉鹊E．以上任意一种射线均可阿苍俘挺担优怀金马

如果γ射线入射于水中，则A．10～30KeV光电效应占优势，30KeV～25MeV康普顿效应占优势，25～100MeV电子对效应占优势福急B．10～30KeV康普顿效应占优势，30KeV～25MeV光电效应占优势，25～100MeV电子对效应占优势生啦舌洞壶C．10～30KeV电子对效应占优势，30KeV～25MeV康普顿效应占优势，25～100MeV光电效应占优势遮她愈D．10～30KeV光电效应占优势，30KeV～25MeV电子对效应占优势，25～100MeV康普顿效应占优势枝证惹帅愧E．10～30KeV康普顿效应占优势，30KeV～25MeV电子对效应占优势，25～100MeV光电效应占优势甩捏狮什趋干

关于不同能量光子入射后各种吸收的描述，正确的是A．对低能γ线和原子序数高的物质，康普顿效应为主赔宋瓣汁陶箭立财宰B．对中能γ线和原子序数低的物质，光电效应为主怨注勤搞忘立C．对低能γ线和原子序数高的物质，电子对效应为主顽戴卜钻复悔吊D．对低能γ线和原子序数高的物质，光电效应为主锁惜蓬栽仰力率事E．对高能γ线和原子序数高的物质，康普顿效应为主涌冶藏筛

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