【（X刀、γ刀）医用直线加速器LA技师-42】第92页:历年真题_押题密卷_考前押题_考试时间_报名报考条件

与其他的剂量测量方法相比，半导体剂量计具有的优点有A．高灵敏度、高抗辐射能力、温度影响小、灵敏体积小蹈追屡轧弊派暖B．高灵敏度、能量响应范围宽、灵敏体积大乖催果C．高灵敏度、高抗辐射能力、高能量响应范围、温度影响小玉活男亩潮窗局且鲁D．高灵敏度、能量响应范围宽、温度影响小钳斜广庸涛帮尸浑审E．高灵敏度、能量响应范围宽、灵敏体积小射居物苏咬武披

使用石墨材料制作指型电离室是因为A．该材料易于加工晒镰B．该材料不易损坏校浑C．该材料价格便宜传牛港魔俗偿毒D．该材料对测量结果影响小妇预句杏称侍E．该材料颜色适合侦犹准敌灯弟息

使用指型电离室剂量仪测量吸收剂量时，应主要注意的问题有A．电离室的方向性、杆效应及温度气压的影响幸狗箱描叹栽嫩盲彩B．电离室的工作电压、杆效应及温度气压的影响蛾介C．电离室的工作电压、方向性、温度气压的影响寇区坟念D．电离室的工作电压、方向性、杆效应及温度气压的影响件千柱挤操E．电离室的工作电压、方向性、一致性及温度气压的影响疮虚兽愚催辱乱栏跳

吸收剂量测量通常使用的方法有A．空气剂量计、半导体剂量计、胶片剂量计、荧光板像革狡研鞭胶喝B．热释光剂量仪、半导体剂量计、胶片剂量计、光电倍增管艘钳肯C．电离室型剂量仪、半导体剂量计、热释光剂量仪、胶片剂量计崭献搏患排龄初亦侵D．非晶硅探测器、电离室型剂量仪、半导体剂量计、胶片剂量计负贷E．荧光板、半导体剂量计、胶片剂量计、热释光剂量仪吨朝雁任群举初赛

当满足电子平衡条件时，吸收剂量和比释动能什么情况下数值上相等A．加上俄歇电子的能量时激犁起庄B．加上韧致辐射损失的能量时令跃口惠符樱C．忽略韧致辐射损失的能量时旅话洋凉路牌奴诊D．忽略俄歇电子的能量时羞国钳慨纪功疾听E．加上俄歇电子和韧致辐射损失的能量时果涂找偿

在电子平衡条件下，如果空气中照射量X为228.2伦琴[1R=2.58×10-4c/kg]，则其比释动能K为

当满足电子平衡条件时，如果空气中照射量X为205.48伦琴，则相应的吸收剂量为A．100cGy歼扇耳像B．150cGy缴黄物屋喝哑垦C．180cGy弱钓未甚史拉蕉翅D．200cGy塑销盐哈纵雕疼E．250cGy呼苍零抚度即

电离辐射入射到介质内时，会产生所谓的"建成效应"，它是指A．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最小九贞蠢B．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最大极婚鞠寿河C．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少，直到吸收剂量达到最小把出谦签话抱D．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最小常辟掉E．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最大幕纸拆金另侮

电子平衡是指A．介质中某小区域的电子数目达到某种重量平衡胞乱弟镇膨么高蛛B．介质中某小区域的电子逃不出该处从而使电子数目在一段时间内固定不变干鼠悦C．介质中某小区域入射的电子数目与逃出该处的电子数目相同惑远头率D．介质中某小区域次级电子带走的入射光子贡献的能量与入射该区的次级电子带来的能量相等客轨E．介质中电子数量达到某一数值，与另外一处数目相同解析、电子平衡是指某一小区域内由于电子活动，造成该区域内能量方面的平衡，是一种电子动态平衡。稍重

照射量X的国际单位制是A．库仑[C]精检臂幻B．伦琴[R]届译贱谱遗淡佣C．戈瑞[Gy]调亚根型很D．C·kg-1其荒抱雨鞭劲狸穗E．拉德[rad]川炼琴球盛田础

空气中某点的照射量定义是A．光子释放的次级电子被完全阻止时，产生的离子电荷量与单位质量空气的比值馋韵戚圈竭荷维坊僚B．光子释放的次级电子被完全阻止时，产生的离子总电荷量与单位质量空气的比值恭刃邪鲁C．光子释放的次级电子被完全阻止时，产生的同一种符号的离子总电荷量与单位质量空气的比值田笔申负黄困乌D．光子释放的所有次级电子被完全阻止时，产生的同一种符号的离子总电荷量与单位质量空气的比值招毫括斤眉跌E．光子释放的所有次级电子被完全阻止时，产生的同一种符号的离子总电荷量的绝对值与单位质量空气的比值漂珠星临障耽

比释动能定义是A．电离粒子在介质中释放的初始动能之积浪叙B．电离粒子在介质中释放的带电粒子与不带电粒子的初始动能之差戚财C．电离粒子在介质中释放的带电粒子与不带电粒子的初始动能之商采白驼D．不带电电离粒子在介质中释放的全部带电粒子初始动能之和惯俘备春流剩训成饭E．电离粒子在介质中释放的初始动能之和烦掩舌姓阴浓疗力

戈瑞[Gy]的国际单位为A．rad厕宝烂漂B．C·kg-1虽津颤雅C．J·kg-1您雁多杠愤香乌D．J·kg献先志戒桐E．Sv吩您莲针店错

用授予某一体积元内物质的辐射能量除以该体积内的物质的质量，得到的是A．吸收剂量减傍劫例菊渠品际入B．照射量叮惕倍C．照射率淋茎剖突D．吸收剂量率拾差沙津金E．比释动能急践浴

吸收剂量是指A．电离辐射在靶区释放的全部动能兄忆冤削敞B．电离辐射在靶区损失的能量构舞存铃浑缓C．电离辐射在空气中释放的全部动能室茎值凶D．电离辐射在水中释放的全部能量异汁E．电离辐射给予单位质量物质的平均授予能点峡轿搬抹转架财待

居里[Ci]与贝克勒尔[Bq]之间的换算关系是1居里等于A．3.7×108贝克勒尔荷确司懒愁恢兽绣史B．3.7×1012贝克勒尔符凉台接厕宁C．3.7×109贝克勒尔锹针抛捉魂邀D．3.7×1010贝克勒尔酒誉片纲痕E．3.7×106贝克勒尔崭男雾漂

放射性活度的国际单位制是A．伦琴飘粱B．居里丑滤C．毫克镭当量捞快类巾D．贝克勒尔琴寻E．希伏特搂片瓶塑贼骨缺骤数

电子线的射程一般采用质量厚度为单位，其最大射程与其最大能量之间的关系一般为A．1MeV/cm昼贱厘恢筹B．2MeV/cm防博申尖址运丽凑C．3MeV/cm耕饶氧睛陕D．4MeV/cm眼亡程E．5MeV/cm萄皱

如果测得某能量的高能电子束PDD曲线，则电子束的模体表面平均能量是A．2.33RsMeV官栗规B．2.33R50MeV刀二官膜凝岛C．2.33R80MeV括殿茂火贯卵哭专塞D．2.059RsMeV输污篮约饱送E．2.059R50MeV陆敏应幕

下列关于电子线的射程的说法正确的是A．电子线的射程比α粒子小沃伍红脚己雕想B．电子线的射程与α粒子相同扒顾C．电子线的射程大于其实际路径青颂旋帮罪袜群讲夸D．电子线的射程与其最大能量没有关系泛古渗睬著E．电子线的最大射程与其最大能量有一定关系设窃则慧呼膜沿

对高能的X射线，通常采用辐射质指数来描述射线质，用水模体内不同深度的值来表示定义为A．TAR20/TAR10或PDD10/PDD20冈口眼盏在B．TPR20/TPR10或PDD10/PDD20都液质贷胞光挖C．TPR10/TPR20或PDD20/PDD10湾评布陪剑D．TPR20/TPR10或PDD20/PDD10仓技订E．TPR20/TMR10或PDD10/PDD20扒兄回玩章

用穿透能力来表示中低能X射线时，通常采用A．管电压见臭B．半价层[HVL]简呜C．半价层[HVL]和管电压攀薯涂赞染D．空气中的照射剂量塔敲迎按膨歉奋E．5cm水深处的吸收剂量升逆搂传址牵师劲它

铅对60钴的γ射线的半价层是1.25cm，因此其线性吸收系数约为A．O.125/cm苍积鹿研乡孔B．O.346/cm攻朴握虚众玻伸滤捆C．O.554/cm焦奔睁气插D．O.692/cm盲蚀评县蚀肢恩E．O.885/cm勺卖视册世痕障天羽

铅对60钴的γ射线的半价层是1.25cm，若挡铅的厚度是5cm，则挡铅后面的剂量是挡铅前的A．6.25﹪习捏延哑呀晃B．12.5﹪饿巩春妻成园损五话C．25﹪四受D．50﹪方株吓称E．80﹪早怕辅构

质量吸收系数表示γ光子与单位质量厚度的物质发生相互作用的概率，下列叙述正确的是A．质量吸收系数与吸收物质密度成正比份削塘痒范词坟惕奇B．质量吸收系数与吸收物质密度成反比呈胀狱乡高咸约致嘱C．质量吸收系数与吸收物质的温度成正比怠亦D．质量吸收系数与吸收物质的温度成反比虏背叉对挺E．质量吸收系数与吸收物质密度及物理状态无关队霸矛锣

指数吸收定律中，其线性吸收系数是A．光电吸收系数芦捉俘至敞演侍B．康普顿吸收系数体保C．电子对吸收系数柄练载晕亚赤漏D．上述三种吸收系数之和翠习E．上述三种吸收系数之差用块帽浮爽

单能窄束γ射线垂直通过吸收物质时，其强度按照哪种规律衰减A．平方反比规律卵磨镜挥秀宅棕阅B．指数规律宁归野译聚债些笑C．算术级数傍绸逆D．几何级数漆汇E．高斯级数泥姑摧患饿象力峡朋

临床照射一个位于骨组织后的转组织病灶应该选择A．20kV低能X线凤筹枯翁双初腊错萄B．30kV低能X线滩回C．60钴γ线或高能X线雕枝读京伞D．高能电子线瞧泉零盈较茄观究E．以上任意一种射线均可步顿膀态夏勇澡胞

如果γ射线入射于水中，则A．10～30KeV光电效应占优势，30KeV～25MeV康普顿效应占优势，25～100MeV电子对效应占优势羽中妥独铺江B．10～30KeV康普顿效应占优势，30KeV～25MeV光电效应占优势，25～100MeV电子对效应占优势门兴购得喘膏半赵痕C．10～30KeV电子对效应占优势，30KeV～25MeV康普顿效应占优势，25～100MeV光电效应占优势衔某益匆捧练窝D．10～30KeV光电效应占优势，30KeV～25MeV电子对效应占优势，25～100MeV康普顿效应占优势针赏狱赞阁E．10～30KeV康普顿效应占优势，30KeV～25MeV电子对效应占优势，25～100MeV光电效应占优势兔恭肚

关于不同能量光子入射后各种吸收的描述，正确的是A．对低能γ线和原子序数高的物质，康普顿效应为主职雾气摸午B．对中能γ线和原子序数低的物质，光电效应为主副嫌稍肤贴C．对低能γ线和原子序数高的物质，电子对效应为主吨找棉却遣骄珠滋D．对低能γ线和原子序数高的物质，光电效应为主栋共E．对高能γ线和原子序数高的物质，康普顿效应为主悬耕辉谜皇愁

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