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• 吸收剂量测量通常使用的方法是

  • A．空气剂量计、半导体剂量计、胶片剂量计、荧光板桐西嘉嫩贫璃化
  • B．热释光剂量仪、半导体剂量计、胶片剂量计、光电倍增管盒健例年张始
  • C．电离室型剂量仪、半导体剂量计、热释光剂量仪、胶片剂量计乘复垂吊
  • D．非晶硅探测器、电离室型剂量仪、半导体剂量计、胶片剂量计碎钓慈把
  • E．荧光板、半导体剂量计、胶片剂量计、热释光剂量仪么饼馆索策萌钱

• 光电效应、康普顿效应、电子对效应是

  • A．电子线与物质间的主要作用方式副限驻
  • B．X(γ)线与物质间的主要作用方式熟严
  • C．质子射线与物质间的主要作用方式坦挑幻见短畏属
  • D．中子射线与物质间的主要作用方式诱睡嘉君女
  • E．重离子射线与物质间的主要作用方式赢疆

• 临床上使用两个电子线野相邻照射时，则

  • A．使两野相邻边界在皮肤表面相交因闪它屑历蓄吐
  • B．使两野相邻边界在皮肤表面相距1cm下琴蝶求达下些
  • C．使两野相邻边界在皮肤表面重叠1cm兴例瓶络婶
  • D．使两野50%等剂量线相交伶员疑勤随气确拔
  • E．使两野50%等剂量线在所需深度相交瓦袜女势

• 使用石墨材料制作指型电离室的原因是

  • A．该材料易于加工润仪
  • B．该材料不易损坏虚两键
  • C．该材料价格便宜绪坊美僵
  • D．该材料对测量结果影响小殖纹纯碌之禁丸敢影
  • E．该材料颜色适合遥痕黄

• 钴放射源的衰变遵从指数衰变定律，其半衰期是5.27年(每月衰减约1.1%)，一个5000Ci的源两年后会衰减到

  • A．4384Ci来下
  • B．3844Ci丸委幼苗克
  • C．3370Ci简飞凤旨护
  • D．2955Ci维镇踢若鲁旅
  • E．2590Ci银假费箱

• 与其他的剂量测量方法相比，半导体剂量计具有的优点是

  • A．高灵敏度、高抗辐射能力、温度影响小、灵敏体积小管牙句蛮臭盾考剩
  • B．高灵敏度、能量响应范围宽、灵敏体积大计离
  • C．高灵敏度、高抗辐射能力、高能量响应范围、温度影响小瓶扩叨
  • D．高灵敏度、能量响应范围宽、温度影响小漠结边兆望九当解
  • E．高灵敏度、能量响应范围宽、灵敏体积小佛着姥温扛刻

• 高能电子线等剂量线分布的显著特点是

  • A．随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，并随电子束能量而变化丘浇地庆姐暮拌摊示
  • B．随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化识光愤
  • C．随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化键循疗
  • D．随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化主符埋勿纤跳警
  • E．随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化失搞

• 当使用电子线照射需要作内遮挡时，为了降低电子束的反向散射，通常在挡铅与组织之间

  • A．加入一定厚度的铜板等高原子序数材料风橡量逐济渠
  • B．加入一定厚度的有机玻璃等低原子序数材料又哲荣育革
  • C．加入一定厚度的补偿物材料丙处询澡美厕
  • D．留下一定厚度的空气间隔饰断为
  • E．尽量贴近，避免出现空气间隙寻蜜

• 原子可以用符号X表示，其中

  • A．A为原子质量数，Z为原子序数，X为原子种类符号鸦如
  • B．A为原子序数，Z为原子质量数，X为原子种类符号呆昏人辆销输伴喊糠
  • C．A为原子种类符号，Z为原子质量数，X为原子种类序数母踪禾锐份锄伶
  • D．A为原子序数，Z为原子种类符号，X为原子质量数仁粱带
  • E．A为原子种类符号，Z为原子质量数，X为原子序数毛验左浩的

• 中心轴百分深度剂量(PDD)定义为

  • A．射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与表面剂量的百分比催速惜倒颈扁脖谈
  • B．射野中心轴上模体表面的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比寺肾
  • C．射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与模体最大深度剂量的百分比佛晕拔力佣尊
  • D．射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比掠丹粘寒遍俗苦宴做
  • E．射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与空气中参考点处剂量的百分比译仍泰站