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  • A．10-5cm送记饼枣洲孟
  • B．10-8cm终撤起跑屯仓
  • C．10-10cm毯厌
  • D．10-12cm辉拦享攀驶璃郊枝
  • E．10-15cm幕孕

• 指数吸收定律中，其线性吸收系数是

  • A．光电吸收系数几五脊枣
  • B．康普顿吸收系数驰卷绩
  • C．电子对吸收系数樱剧姐贿赵旅胀伐阻
  • D．上述三种吸收系数之和最低曲什
  • E．上述三种吸收系数之差梯夜借六贤愤萍

• 组织替代材料有哪些作用

  • A．弥补组织缺陷使表面看起来更加平整，具有美容效果抗久真心谨废踏
  • B．使受照区域密度更加均匀俭毫六
  • C．弥补组织缺陷使摆位更加方便伶差淡君体帖苍
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  • E．改变照射剂量的分布，以达到临床所需要的照射剂量分布活屿蝇

• 居里[Ci]与贝克勒尔[Bq]之间的换算关系是1居里等于

  • A．3.7×108贝克勒尔担呜洒奉究登约呈
  • B．3.7×1012贝克勒尔浅躺怖阻短惭璃庄
  • C．3.7×109贝克勒尔拖污昆缘之旦伟
  • D．3.7×1010贝克勒尔淡自磨墓碌扬妄术错
  • E．3.7×106贝克勒尔如卫刘统逢珠椅

• 当使用电子线照射时，下列方式正确的是

  • A．电子线限光筒与皮肤表面的距离6cm唱叉凶喜
  • B．电子线限光筒尽量靠近皮肤表面蛙斥研歪医涨浙鉴顶
  • C．电子线限光筒与皮肤表面的距离以方便摆位为原则通翁网
  • D．电子线限光筒与皮肤表面的距离1cm于系限压辜贷宅
  • E．电子线限光筒与皮肤表面的距离10cm创前待暗逗斑丘

• 电离辐射入射到介质内时，会产生所谓的"建成效应"，它是指

  • A．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最小丝延扫绣藏问平期观
  • B．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最大贺勇阔
  • C．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少，直到吸收剂量达到最小灶较泉并
  • D．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最小值冠墨南
  • E．介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最大划哨

• 与其他的剂量测量方法相比，半导体剂量计具有的优点有

  • A．高灵敏度、高抗辐射能力、温度影响小、灵敏体积小梯繁喘梦附报又
  • B． 高灵敏度、能量响应范围宽、灵敏体积大慢膜蚊侄问孩赖馒朝
  • C． 高灵敏度、高抗辐射能力、高能量响应范围、温度影响小罩包缺扇纷
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• 源皮距[SSD]指的是

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  • B．射线源到模体表面照射野中心的距离下盈你喝院扶镰酒旨
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• 以下关于组织空气比[TAR]的说法正确的是

  • A．组织空气比很容易测量碰狱冈弃供
  • B．组织空气比值的大小与源皮距有关唯夸篮走弱舰附暑
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• 射野边缘处的半影的组成包括

  • A．几何半影、干涉半影和散射半影虽迹烘
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