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• 对X[γ]射线，将固体介质中测量的吸收剂量转换成水中的吸收剂量时，应乘的转换因子之一为

  • A．水与固体介质的平均质能吸收系数的比值俭减林性泪剑喘井
  • B．水与固体介质的平均线性吸收系数的比值鬼听
  • C．水与固体介质的线性衰减系数的比值企赶抱粮
  • D．水与固体介质的平均质能传输系数的比值畏录
  • E．水与固体介质的平均质能衰减系数的比值莫怀蠢妄击两还胁贤

• IAEA测量规程[1997年修订版]的建议中，关于用电离室在水模体中测量钴-60γ射线吸收剂量时的参考条件，不正确的是

  • A．钴-60γ射线，参考深度在水模体下5cm处卫察础扛图
  • B．源皮距等于常规治疗距离杨认甩盏泽孤界
  • C．照射野为10cm×10cm漠挺户
  • D．有效测量点位于电离室前方距离电离室几何中心O.6倍电离室半径处础益剧戚决
  • E．每次出束时间为1分钟匆壤品菜岔

• 表征电子线穿射介质能力的物理量一般不包括

  • A．水表面平均能量省孩拌坛丛泼只丸
  • B．水表面可几能量[可几是否是最小，应该是印刷错误]治纪凶消鹅授巧育
  • C．水表面最大能量延仰播殿
  • D．半峰值剂量深度屈晌
  • E．射程纠导华辰

• SRS或PSRT摆位操作的质量保证中重要措施之一是每次摆位

  • A．由一位专职技术员操作藏贪芒
  • B．由一位物理师操作源延秩煤楚
  • C．由一名医生操作跃词扑
  • D．操作需二人，一人控制，一人复检膊抚
  • E．操作需二人互检，第三人复验贴宫蛮压

• 测量吸收剂量相对分布时，其空间分辨最好的探测器是

  • A．化学剂量计箩特坏
  • B．电离室界绣督烈因帜维食撞
  • C．热释光您丈嚼笔酿储株汗
  • D．半导体窗旨馋坚没
  • E．胶片彻搂露泰燥酷储娱常

• 对于X[γ]射线，组织替代材料必须与组织具有相同的

  • A．反射系数弊极丽梦钩官牢斯主
  • B．吸收系数督凶也铺壮虏延匀鞭
  • C．总线性衰减系数役八杯
  • D．碰撞系数笑须束容
  • E．弹性系数覆俘登浙绍板决

• 高能X射线PDD的剂量参考点应取在

  • A．模体表面顾督设皇
  • B．模体表面下5cm几孝竞
  • C．模体表面下10cm彻之
  • D．模体表面下2cm铅老
  • E．模体表面下射野中心轴上最大剂量点位置自爹训缘

• 产生电子对效应的X[γ]光子的能量必须满足的条件是

  • A．＜O.51MeV驰婶肺
  • B．=O.511MeV渴拦流偏韵删
  • C．＜1.02MeV搬洽页辛酒祝吩
  • D．＞1.02MeV定泉驰造谋
  • E．≥2.04MeV论腊伐度循疫态燥室

• 钴机或6MV-X高能直线加速器机房附近区域，用于公众成员防护的普通混凝土屏蔽厚度中，主屏蔽墙是

  • A．65cm山柱南
  • B．120cm咱摔旗耻
  • C．130cm液继校
  • D．240cm扮拼找丧很贝壤还
  • E．260cm尝够棒容听

• 电子直线加速器的外照射电子束剂量算法验证时需要考虑的影响因素不包括

  • A．射野形状和尺寸宙躬跃掠
  • B．多叶准直器射野询帐
  • C．照射距离水冻貌
  • D．准直器转角缴预烦婚易劝氧下楼
  • E．表面弯曲或倾斜梁露